美光刊发 232层3D NAND 闪存，相关固态硬盘明年问世

5 月底 13 日传言，大厂美国公司周四发布了出版界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该美国公司原先将其属于自己 232 层 3D NAND 商品用于各种商品，包括气态驱动器，并原先在 2022 年末左右开始量产此类集成电路。

截图；也：大厂

IT之家发觉，大厂的 232 层 3D NAND 闪存换用 3D TLC 框架，独有容量为 1Tb（128GB）。该集成电路基于大厂的 CuA 框架，并使用 NAND 表达式接合技术开发，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。

CuA 设计加上 232 层 NAND，将大幅提高大厂 1Tb 3D TLC NAND 闪存的集成电路尺寸，这有望降较高原材料成本，使大厂必须对换用这些集成电路的装置展开更有创新能力的价位，或者增加其利润率。

大厂没有宣布其属于自己 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或四边形数量，但暗示与现有的 3D NAND 装置相比之下，属于自己内核将提供更高的效率，这对换用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 值得注意有效率。

谈到气态驱动器，大厂的技术开发和商品执行总裁兼 Scott DeBoer 指出，该美国公司已经与内部和第三方 NAND 控制器（用于气态驱动器和其他基于 NAND 的存储装置）的开发者密切关系，以实现对新型内核的支持。

截图；也：大厂

在其 232 层 3D TLC NAND 的其他优势中，大厂还提到与上一代节点相比之下功耗更较高。

顾及大厂将在 2022 年年末开始原材料 232 层 3D TLC NAND 装置，预计换用新内核的气态驱动器将在 2023 年左右准备好。

【；也：IT之家】