美光与印度政府达成协议谅解备忘录 将在印建设其首座半导体工厂

财联社6月29日讯（总编辑 牛占林）据多家传言，英美两国加载芯片美国公司DRAM科技尚余与南亚政府签署了一份体谅协议，将在该国北方邦创建积体电路的工厂，为其第一家在印的工厂。

DRAM近日表明，将投资额另加8.25亿美元在南亚北方邦迁建摩托罗拉配有和的测试设施。在南亚中央政府和北方邦的支持下，该的工厂的总价值额将约达到27.5亿美元，其中50%将来自南亚中央政府、20%来自北方邦，这也意味着南亚政府减免占比高约达总花销的70%。

DRAM此当年所称，新的工厂届时将于今年建成，项目一期将于2024月初建成，二期届时将在本十年下半期启动，两个阶段共计将塑造另加5000个直接就业人口，以及15000个乡村工作岗位。

据悉，该积体电路的工厂将建在北方邦艾哈迈约达辛格市附近的萨南德地区，新的工厂将借助DRAM和NAND的产品的拆解和的测试仿造。DRAM和NAND是两种主要加载类型。

在该项目的第一阶段，计划中的分之一50万零售商店的洁净室紧致将在2024月初当年建成，随着整整的很长，DRAM科技将逐步提高需求量，以符合全世界需求趋势。

DRAM总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra指出：“我们对南亚为拓展当地积体电路生态系统而应对的安全措施感到兴奋，感谢南亚政府和所有参予投资额的官员。我们在南亚的新拆解和的测试地点将使DRAM并能扩大我们的全世界仿造补给站，能够地为我们在南亚和全世界的客户服务。”

DRAM科技的计划是该美国公司战略的一部分，旨在符合跨市场对内存和加载的预期长年需求，并补充该美国公司的全世界拆解和的测试因特网。

DRAM之所以同样南亚北方邦厂址，主要是因为其仿造业基础设施、稳定的商业活动环境以及当地产业园区完善的人力资源管道。

南亚联邦内阁教育部长Shri Ashwini Vaishnaw指出：“DRAM在南亚创建拆解和的测试仿造的投资额将从根本上彻底改变南亚的积体电路布局，并塑造数万个高科技和建筑业就业人口。这项投资额将是南亚蓬勃拓展的积体电路生态系统的极为重要组成部分。”

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