外媒预计在建设P3DRAM后 三星电子还将在平泽建设P4DRAM

【TechWeb】4月末25日消息，据国外媒体引述，此前有引述称作，LG2020上半年中所开始在韩国白川规划设计的P3DRAM，将在下月末开始通讯设备的加装，通讯设备的进入和加装将之前到7上半年，这一DRAM方案在今年年初全部建成。

而在引述P3DRAM将在下月末开始通讯设备的加装时，外媒还暗示，在规划设计P3DRAM后，预计LG还将在白川规划设计P4DRAM。

不过，外媒并不曾给出P4DRAM何时开始规划设计、车间为数、海外投资为数等层面的预估，三星集团层面目前也还不曾公布他们是否会在白川便规划设计DRAM。

从外媒的引述来看，下月末开始通讯设备加装的P3DRAM，建成后将用做生产NAND存储器、DRAM，也将利用3nm工艺技术为关的的客户大厂晶圆。率可先开始生产NAND存储器，随后是DRAM，以后是为其他客户大厂晶圆。通讯设备的加装，将从NAND存储器生产线的通讯设备可先开始，将在5上半年的第一个周开始加装。

外媒在引述中所也提到，LG在白川的P3DRAM，建有70万平方米，是P2DRAM的1.7倍，他们方案不曾来几年在这一车间据估计海外投资30万亿韩元，最多则是海外投资50万亿韩元，也就是据估计海外投资240亿美元，最多海外投资400亿美元。